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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics70895+￥28.228650+￥27.0222200+￥26.3467500+￥26.17781000+￥26.00892500+￥25.81595000+￥25.69537500+￥25.5746 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP9NK70Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V115310+￥7.2384100+￥6.8765500+￥6.63521000+￥6.62312000+￥6.57495000+￥6.51467500+￥6.466310000+￥6.4422 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新58005+￥26.545050+￥25.4106200+￥24.7753500+￥24.61651000+￥24.45772500+￥24.27625000+￥24.16277500+￥24.0493 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STF28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新39015+￥11.895450+￥11.3870200+￥11.1024500+￥11.03121000+￥10.96002500+￥10.87875000+￥10.82797500+￥10.7770 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STFH13N60M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V 新94755+￥4.287625+￥3.970050+￥3.7477100+￥3.6524500+￥3.58892500+￥3.50955000+￥3.477710000+￥3.4301 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STFH18N60M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.255 ohm, 10 V, 3 V 新583710+￥11.5284100+￥10.9520500+￥10.56771000+￥10.54852000+￥10.47165000+￥10.37567500+￥10.298710000+￥10.2603 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STFH24N60M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V 新659710+￥11.7816100+￥11.1925500+￥10.79981000+￥10.78022000+￥10.70165000+￥10.60347500+￥10.524910000+￥10.4856 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STF23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V44465+￥28.466150+￥27.2496200+￥26.5684500+￥26.39811000+￥26.22772500+￥26.03315000+￥25.91157500+￥25.7898 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STD6N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V34305+￥4.993725+￥4.623850+￥4.3648100+￥4.2539500+￥4.17992500+￥4.08745000+￥4.050410000+￥3.9949 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STD2NK90Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.05 A, 900 V, 5 ohm, 10 V, 3.75 V48745+￥4.345725+￥4.023850+￥3.7984100+￥3.7019500+￥3.63752500+￥3.55705000+￥3.524810000+￥3.4765 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STD2HNK60Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V21025+￥1.432425+￥1.326350+￥1.2520100+￥1.2202500+￥1.19892500+￥1.17245000+￥1.161810000+￥1.1459 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPU07N60C3BKMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V88625+￥17.337150+￥16.5962200+￥16.1813500+￥16.07751000+￥15.97382500+￥15.85535000+￥15.78127500+￥15.7071 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPW35N60CFDFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V66731+￥56.971610+￥53.7027100+￥51.2744250+￥50.9008500+￥50.52721000+￥50.10702500+￥49.73345000+￥49.4999 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPP02N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V27665+￥1.687525+￥1.562550+￥1.4750100+￥1.4375500+￥1.41252500+￥1.38135000+￥1.368810000+￥1.3500 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPP07N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 V223110+￥8.7900100+￥8.3505500+￥8.05751000+￥8.04292000+￥7.98435000+￥7.91107500+￥7.852410000+￥7.8231 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPD07N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V74015+￥3.865125+￥3.578850+￥3.3783100+￥3.2925500+￥3.23522500+￥3.16365000+￥3.135010000+￥3.0920 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA20N60CFDXKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V32905+￥16.622250+￥15.9118200+￥15.5140500+￥15.41461000+￥15.31512500+￥15.20155000+￥15.13057500+￥15.0594 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA07N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V764710+￥9.5484100+￥9.0710500+￥8.75271000+￥8.73682000+￥8.67315000+￥8.59367500+￥8.529910000+￥8.4981 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHW30N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-247AD-358295+￥23.500650+￥22.4963200+￥21.9339500+￥21.79331000+￥21.65272500+￥21.49205000+￥21.39167500+￥21.2912 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP33N60EF-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-220AB-350145+￥24.733850+￥23.6768200+￥23.0849500+￥22.93691000+￥22.78892500+￥22.61985000+￥22.51417500+￥22.4084 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP33N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-220AB-318225+￥22.302550+￥21.3494200+￥20.8157500+￥20.68231000+￥20.54882500+￥20.39635000+￥20.30107500+￥20.2057 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB24N65E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V91745+￥21.595950+￥20.6730200+￥20.1561500+￥20.02691000+￥19.89772500+￥19.75015000+￥19.65787500+￥19.5655 -
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品类: 中高压MOS管描述: 600 V功率MOSFET 600 V Power mosfets78355+￥15.890950+￥15.2118200+￥14.8315500+￥14.73651000+￥14.64142500+￥14.53275000+￥14.46487500+￥14.3969 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHF12N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V952310+￥8.1888100+￥7.7794500+￥7.50641000+￥7.49282000+￥7.43825000+￥7.36997500+￥7.315310000+￥7.2880 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB12N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 12A, TO-263-3788610+￥7.0980100+￥6.7431500+￥6.50651000+￥6.49472000+￥6.44745000+￥6.38827500+￥6.340910000+￥6.3172 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB6N65E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V545110+￥10.0464100+￥9.5441500+￥9.20921000+￥9.19252000+￥9.12555000+￥9.04187500+￥8.974810000+￥8.9413 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHD7N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V773110+￥11.2500100+￥10.6875500+￥10.31251000+￥10.29382000+￥10.21885000+￥10.12507500+￥10.050010000+￥10.0125 -
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor962510+￥11.6424100+￥11.0603500+￥10.67221000+￥10.65282000+￥10.57525000+￥10.47827500+￥10.400510000+￥10.3617 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB23N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V81235+￥12.999950+￥12.4443200+￥12.1332500+￥12.05541000+￥11.97772500+￥11.88885000+￥11.83327500+￥11.7777 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM SCT3160KL Power MOSFET, SiC, N Channel, 17A, 1.2kV, 0.16Ω, 18V, 5.6V New33071+￥47.104210+￥44.4015100+￥42.3938250+￥42.0849500+￥41.77601000+￥41.42852500+￥41.11975000+￥40.9266
