技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.12 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 250 W
技术参数/阈值电压: 2 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V
技术参数/上升时间: 84 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2740pF @10V(Vds)
技术参数/下降时间: 69 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 9.65 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Portable Devices, Lighting, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Communications & Networking, Motor Drive & Control, Industrial, Alternative Energy
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SIHB24N65E-E3
|
VISHAY (威世) | 完全替代 | TO-252-3 |
VISHAY SIHB24N65E-E3 Power MOSFET, N Channel, 24A, 650V, 0.12Ω, 10V, 2V
|
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