技术参数/额定电压(DC): 700 V
技术参数/额定电流: 7.50 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 1 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 115 W
技术参数/阈值电压: 3.75 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 700 V
技术参数/漏源击穿电压: 700 V
技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.00 A
技术参数/上升时间: 17 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1370pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 115 W
技术参数/下降时间: 13 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 115W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.4 mm
外形尺寸/宽度: 4.6 mm
外形尺寸/高度: 16.4 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STD3NK50ZT4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-252-3 |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
||
STP6NK70Z
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
N沟道700V - 1.5ohm - 5A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护超网MOSFET N-CHANNEL 700V - 1.5ohm - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET
|
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