技术参数/额定电压(DC): 650 V
技术参数/额定电流: 7.30 A
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.54 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 83 W
技术参数/阈值电压: 4.5 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V
技术参数/漏源击穿电压: 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 7.30 A
技术参数/上升时间: 40 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 970pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 83 W
技术参数/下降时间: 20 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 83W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10 mm
外形尺寸/宽度: 4.4 mm
外形尺寸/高度: 15.65 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SPP07N60C3
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON SPP07N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
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