技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.13 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 170 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 21A
技术参数/上升时间: 7.3 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1500pF @100V(Vds)
技术参数/下降时间: 9.3 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 170W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.4 mm
外形尺寸/宽度: 4.6 mm
外形尺寸/高度: 15.75 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: 无铅
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP23NM60ND
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
|
||
STP25NM60ND
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价