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型号： SPD07N60C3ATMA1

描述： INFINEON SPD07N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

品牌： Infineon (英飞凌)

封装： TO-252-3

货期：

包装方式： Tape & Reel (TR)

标准包装数： 1

5+:

￥ 3.8651

25+:

￥ 3.5788

50+:

￥ 3.3783

100+:

￥ 3.2925

500+:

￥ 3.2352

2500+:

￥ 3.1636

5000+:

￥ 3.1350

10000+:

￥ 3.0920

价格	￥ 3.8651	￥ 3.5788	￥ 3.3783	￥ 3.2925	￥ 3.2352
起批量	5+	25+	50+	100+	500+

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

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规格参数
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 0.54 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 83 W

技术参数/阈值电压: 3 V

技术参数/输入电容: 790 pF

技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V

技术参数/漏源击穿电压: 600 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 7.3A

技术参数/上升时间: 3.5 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 790pF @25V(Vds)

技术参数/下降时间: 7 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 83000 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-252-3

外形尺寸/长度: 6.5 mm

外形尺寸/宽度: 6.22 mm

外形尺寸/高度: 2.3 mm

外形尺寸/封装: TO-252-3

其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

其他/制造应用: Consumer Electronics, 工业, 消费电子产品, Industrial, 通信与网络, Power Management, 电源管理, Communications & Networking

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
SIHD7N60E-GE3	VISHAY (威世)	功能相似	TO-252-3	VISHAY SIHD7N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V	PDF
SIHD7N60E-GE3	Vishay Semiconductor (威世)	功能相似	TO-252	VISHAY SIHD7N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V	PDF
SIHD7N60E-GE3	Vishay Siliconix	功能相似	TO-252-3	VISHAY SIHD7N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V	PDF