技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.5 Ω
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 78 W
技术参数/阈值电压: 2 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 7A
技术参数/上升时间: 13 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 680pF @100V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 78 W
技术参数/下降时间: 14 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 78000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
其他/最小包装: 2000
其他/制造应用: 电机驱动与控制, 计算机和计算机周边, 工业, 便携式器材, 通信与网络, 替代能源, 电源管理, 照明
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SPD07N60C3
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-252-3 |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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SPD07N60C3ATMA1
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-252-3 |
INFINEON SPD07N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
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