技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.32 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 33 W
技术参数/阈值电压: 2 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220
外形尺寸/封装: TO-220
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Industrial, Lighting, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Power Management
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF12N60E-GE3
|
Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-220-3 |
VISHAY SIHF12N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V
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