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描述: VISHAY SIHP33N60EF-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-220AB-3
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封 装: TO-220
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包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 0.085 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 278 W

技术参数/阈值电压: 4 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V

技术参数/输入电容(Ciss): 3454pF @100V(Vds)

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 278 W

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-220

外形尺寸/长度: 10.52 mm

外形尺寸/宽度: 4.7 mm

外形尺寸/高度: 15.85 mm

外形尺寸/封装: TO-220

其他/包装方式: Tube

其他/制造应用: Industrial, Lighting, Portable Devices, Alternative Energy, Communications & Networking, Power Management

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

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