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型号： SIHW30N60E-GE3
描述： VISHAY SIHW30N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-247AD-3
商品二维码
品 牌： Vishay Semiconductor (威世)
封 装： TO-247-3
货 期：
包装方式： Bulk
标准包装数： 1
20.09  元 20.09元
5+:
￥ 23.5006
50+:
￥ 22.4963
200+:
￥ 21.9339
500+:
￥ 21.7933
1000+:
￥ 21.6527
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 0.104 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 250 W

技术参数/阈值电压: 2 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V

技术参数/上升时间: 32 ns

技术参数/下降时间: 36 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-247-3

外形尺寸/封装: TO-247-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/包装方式: Bulk

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

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