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7 月 14 日消息，韩媒 ETNews 于本月 9 日报道，SK 海力士正积极探索应对先进存储器晶圆厚度持续降低的方法，考虑引入飞秒激光等先进晶圆切割技术，以突破现有工艺局限。
目前，SK 海力士主要运用机械刀片切割（借助金刚石砂轮）和隐形切割（在晶圆内部制造裂隙）这两种技术。然而，机械刀片切割仅适用于厚度 100μm 及以上的晶圆，隐形切割也只能应对厚度在 50μm 左右的晶圆。
但当下先进存储器的发展趋势是晶圆厚度不断变薄，特别是先进HBM 内存，因其多层堆叠且堆栈总高受限，以及未来 400 + 层NAND需通过混合键合连接存储单元与外围电路，对晶圆厚度要求更为严苛。
报道指出，SK 海力士已与激光设备合作伙伴开展新的晶圆切割设备联合评估项目。该企业已与部分伙伴启动技术测试，探索不同技术路线，其中包括预开槽，即预先对切割区域进行处理，以及直接完全利用激光分离等方案。
在半导体制造工艺持续精进的当下，晶圆切割技术的革新对保障产品良率与性能至关重要。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注 SK 海力士新技术引入进展及行业动态。
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