7 月 23 日消息，三星电子的半导体业务目前面临着严峻挑战，在先进工艺代工和HBM 内存供应方面，均未能获得英伟达等大客户的大订单。然而，根据韩国媒体 MK 的报道，三星电子在 7 年前本有机会避免这一困境。
据悉，英伟达 CEO 黄仁勋曾在 2018 年秘密访问三星电子，希望能在先进 HBM 内存开发、后 8nm 先进制程代工以及CUDA 软件生态培养这三个关键方面展开深度合作。这一合作若能达成，有望为双方带来巨大的发展机遇，特别是在当时人工智能即将迎来爆发式增长的背景下。
但遗憾的是，由于三星集团时任实际领导人李在镕陷入一系列案件调查，黄仁勋未能与李在镕见面。这一司法事件严重影响了三星电子当时的决策能力，最终，黄仁勋提出的三项合作提议均被拒绝。
在HBM 内存领域，原本SK 海力士凭借与AMD的初始合作占据了先发优势，但在 HBM2 时期，三星成功反超，一度掌握主导地位。然而，从HBM3 世代开始，SK 海力士凭借与英伟达的密切合作，重新夺回了最大市场份额。业内普遍认为，这与 2018 年黄仁勋遭三星拒绝后，选择 SK 海力士作为开发伙伴密切相关。
如今，三星在HBM 市场份额落后于 SK 海力士。据分析公司 Bernstein 在 6 月发布的报告，预计 2025 年，SK 海力士在HBM 市场的份额将达 57%，三星为 27%。三星芯片部门负责人也承认，公司在获得英伟达认证方面存在延误，导致在高带宽存储器（HBM） 上的市场份额减少。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：
三星电子 2018 年错失与英伟达在关键领域的合作良机，致其在HBM 内存等市场竞争中陷入被动，可见企业决策对发展走向影响深远。
