9 月 12 日，半导体存储领域传来重磅消息：SK 海力士高调宣布，已成功完成面向 AI 的超高性能存储器 ——HBM4 的开发工作，并在全球范围内率先搭建起量产体系，这一突破无疑为 AI 产业发展注入一剂 “强心针”。
SK 海力士方面表示：“成功研发 HBM4，标志着公司为 AI 新时代的到来奠定了坚实基础，基于此技术成果构建的全球首个 HBM4 量产体系，更是向全球市场宣告了我们在 AI 存储器技术领域的领军地位。”
高带宽存储器（HBM）技术通过垂直连接多个 DRAM，显著提升数据处理速度，目前已历经六代更迭，HBM4 便是最新成员。据海力士介绍，全新的 HBM4 数据传输通道数量较前代产品翻倍，达到 2048 条，这直接促使带宽提升一倍，同时能效提升幅度超过 40% ，成功实现全球顶尖水平的数据处理速度与能效。
SK 海力士预测，将 HBM4 引入客户系统后，AI 服务性能最高可提升 69% ，不仅能从根源上解决数据瓶颈难题，还能大幅降低数据中心的电力成本。值得一提的是，此次 HBM4 运行速度高达 10Gbps 以上，远超 JEDEC 标准规定的 8Gbps。
在 HBM4 开发过程中，SK 海力士采用了市场认可度较高的自主先进 MR-MUF 技术，搭配第五代 10 纳米级（1b）DRAM 工艺，极大降低了量产过程中的风险。
SK 海力士 HBM 开发负责人赵柱焕表示：“HBM4 的开发是行业新的里程碑，我们将快速提供满足客户需求的高性能、高能效、高可靠性产品，确保在 AI 内存市场的竞争优势，加速产品上市进程。”
亿配芯城（ICgoodFind）总结：SK 海力士 HBM4 的量产，有望进一步推动 AI 算力提升，为 AI 产业生态发展注入新活力，其在存储技术领域的持续创新，或将引领行业发展新方向。
