12月15日，ASML首席执行官Christophe Fouquet（克里斯托夫·富凯/傅恪礼）在公司总部接受彭博社专访时重磅表态，预计High NA EUV光刻机将在2027~2028年正式投入先进制程的大规模量产。这一消息直接为2纳米及以下制程的落地进程划定关键节点，成为全球半导体产业链关注的焦点。
High NA EUV 光刻机是突破芯片性能瓶颈的核心设备，其量产节奏决定 “埃米时代” 芯片普及速度。相较于现有 EUV 设备，它凭借更高数值孔径可实现单次曝光更小线宽，能减少先进制程光刻步骤、提升良率并降低成本，是解锁 2 纳米及以下逻辑技术的关键。此前 imec 已联合 ASML 实现技术突破，验证了其可行性。
英特尔在新一代图案化技术导入上最为积极，基于该设备开发的 Intel 14A 节点正密集测试，计划 2027 年推出，目前已获两家潜在代工客户正面反馈，同等成熟度下性能和良率均超前代 18A 节点。该光刻机当前由英特尔等核心客户测试，成像质量和分辨率符合预期，可支撑先进制程生产需求。
Fouquet 表示，ASML 2026 年核心任务是与客户深度合作，最小化 High NA EUV 光刻机停机时间，这是保障客户切换新一代制程的关键。英特尔采用的该设备双工位光刻系统每小时可处理 200 片晶圆，已做好量产技术储备。
此外，ASML 已规划未来 10~15 年技术路线，正启动下一代 Hyper NA EUV 研发，为 21 世纪 30 年代投运奠基，将持续巩固高端光刻设备领域主导地位。
业内分析认为，ASML 对 High NA EUV 量产的定调将推动全球晶圆厂加速先进制程研发，其量产落地将为半导体全产业链带来新增长机遇，引发全链条变革。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：High NA EUV量产将开启先进制程新纪元，助力半导体产业突破性能瓶颈。
