11 月 14 日消息，SK 海力士副会长兼联席 CEO 朴正浩透露，今年公司高带宽内存HBM芯片出货量为 50 万颗，预计到 2030 年将达到每年 1 亿颗。
昨日下午，在京畿道光州东谷 CC 举行的共享增长理事会高尔夫锦标赛结束后，朴正浩在致辞中发表了上述讲话。共享增长理事会是 SK hynix 的供应商团体，此次高尔夫球赛由 SK hynix 采购部门组织发起，包括供应商代表在内的 100 多人参加了此次。
朴正浩在此次高尔夫球赛上分享了 HBM 的经营业绩和未来前景。他对供应商代表说：“由于设备投资的减少，整体上会比较困难，但我们将一起渡过难关”。他还强调，公司计划按计划于 2027 年开始在龙仁集群工厂生产半导体。
在上月底的第三季度财报电话会议上，SK hynix 表示计划在今年的基础上增加明年的设施投资。不过，该公司解释说，由于需求尚未完全恢复，投资扩张的范围将是有限的，重点将放在 HBM 上。
该公司表示，用于下一代 HBM3E 上 1b 制程 DRAM 的生产和堆叠的硅直通电压电极（TSV）相关投资被视为重中之重。
据业内人士11月13日透露，三星电子计划从明年1月开始向英伟达供应高带宽内存HBM3，HBM3将被应用在英伟达的图形处理单元（GPU）上。
此前，英伟达HBM3由SK海力士一家供应。三星电子则向美国AMD供应HBM3，但据说供应有限。
英伟达是一家在人工智能（AI）GPU市场占据90%以上市场份额的公司，三星电子明年对HBM供应量将大幅增加。如果三星电子从明年初开始扩大对GPU公司的HBM供应，预计负责半导体的设备解决方案（DS）部门的业绩将迅速提高。
作为后来者，三星正在追赶SK海力士。有人预测，明年下半年三星电子的HBM市场份额可能会超过50%
