一、抢攻 AI 内存赛道，剑指 HBM 市场
6 月 3 日，据台媒《工商时报》《经济日报》联合报道，台湾内存企业南亚科技正火力全开布局 AI DRAM 领域 。在三星、SK 海力士、美光三大原厂激战 HBM 市场的当下，南亚科技另辟蹊径，瞄准定制化内存赛道，欲在 AI 存储领域撕开一道突破口。
二、四大技术支点，构建 AI 内存壁垒
南亚科技总经理李培瑛揭示了 AI 应用内存的核心要素：高密度先进 DRAM、3D TSV 硅通孔工艺、HBM 设计能力、逻辑 Base Die 。目前，公司已完成高密度 DRAM 技术部署，正携手补丁科技、福懋科技推进 TSV 封装工艺，而 HBM 设计与逻辑 Base Die 将通过战略投资与合作模式落地。
三、定制项目冲刺，2026 年验证量产
关键进展在于，南亚科技的定制化 DRAM 项目已进入倒计时 ——最快 2026 年完成技术验证，2026 年底至 2027 年实现业绩贡献 。这一时间表不仅契合 AI 算力爆发的窗口期，更有望填补中小厂商在定制化内存领域的空白。
四、短期去库存，四季度冲刺扭亏
面对当下市场，南亚科技正借力三大原厂减产 DDR3/DDR4 的机会承接转单需求 。得益于市场提前备货趋势，公司预计三季度完成库存清理，四季度向扭亏为盈发起冲刺，短期经营与长期技术布局形成双重驱动。
AI 内存赛道的竞争已全面升级，南亚科技的差异化策略能否突围？亿配芯城（ICgoodFind）将持续追踪其技术验证进展与市场表现，为行业提供动态参考。
