AI 热潮下，HBM（高带宽内存）仍是核心稀缺资源，而存储龙头三星正以激进定价打响市场反击战 —— 其 12 层 HBM3E 芯片报价较竞争对手直降30% ，试图挽回认证延迟错失的市场份额。
这场降价源于三星的被动处境。其 12 层 HBM3E 因散热问题和认证标准不达标，历经约 18 个月测试修改后，才在 2025 年下半年通过英伟达认证，成为第三家合格供应商。而竞争对手SK 海力士早在 2024 年下半年就实现量产，美光也于 2025 年初完成认证，二者已锁定 2026 年的主要销售份额。尽管三星计划 2025 年第四季度向英伟达出货数万片 HBM3E，但入市时机已晚，且产品仍需搭配液冷 AI 服务器使用，竞争力受限。
降价也是三星应对技术迭代压力的选择。其上一代 1b DRAM 节点因良率低、设计缺陷承压，为避免 HBM4 重蹈覆辙，三星直接跳转至更先进的1c DRAM 节点开发 HBM4，并引入混合键合技术改善散热与性能。不过，1c 节点转型引发市场对良率稳定性的担忧，其 HBM4 认证结果预计 2025 年 11 月公布，且尚未获得英伟达正式供应批准。
对于下一代 HBM4，三星的低价策略仍在延续。尽管其展示的 HBM4 规格与美光相当（美光样品带宽达 2.8TB/s、速度 11Gbps，超 JEDEC 规范），计划 2026 年第一季度出货，但已明确初始报价将比对手低6%~8% 。反观美光态度强硬，直言 2026 年 HBM 市场份额将超越 2025 年，不惧竞争。
行业数据显示，2026 年 HBM3E 均价本就将随供给增加下滑，三星的降价进一步加剧市场竞争，而 HBM4 因技术门槛提升，溢价或突破 30%。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：三星以价换量的策略能否破局尚难定论，HBM4 世代的技术与价格博弈将重塑市场格局。
