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当地时间 10 月 30 日，安森美（onsemi） 宣布推出并出样垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，凭借专有 GaN-on-GaN 同质衬底技术实现重大突破：电流垂直流经芯片，能量损耗较传统方案减少近 50% ，同时支持 1200V 及以上高压，开关频率显著提升，推动功率器件设计向紧凑化升级。
该技术采用单芯片架构，相较市售横向 GaN 器件，体积缩减至约三分之一；更高的工作频率使电容器、电感等被动元件尺寸缩小一半，大幅优化系统集成效率与成本。目前，安森美已向早期客户提供 700V 和 1200V 两款样品，技术覆盖 130 多项全球专利，将深度赋能 AI 数据中心、电动汽车、可再生能源、航空航天等领域，提升设备能效与可靠性。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：安森美 vGaN 技术突破重塑功率半导体格局，高效特性将加速高能耗领域技术升级，为产业链带来新机遇。
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