一、长鑫战略大调整，DDR4 或将成 “过去式”
DIGITIMES 报道称，国内 DRAM 龙头长鑫存储正筹备一项重大战略转变。计划在 2026 年中期逐步淘汰面向服务器和 PC 的 DDR4 产品，全力进军 DDR5 和 HBM 高带宽内存领域。这一决策犹如一颗投入平静湖面的巨石，在全球 DRAM 市场激起千层浪。
二、产能扩张迅猛，撼动行业格局
即便面临美国出口限制，长鑫存储扩张的脚步也未停歇。最初仅占 2% 市场份额的它，预计到 2025 年底，月产量将飙升至 28 万片晶圆，未来潜力更可达 30 万片，届时将占据全球 DRAM 总产量的 15%。其积极进取的姿态，对三星、SK 海力士和美光主导的市场格局构成有力挑战。
三、DDR5 加速布局，产能占比将超 60%
随着战略调整，长鑫存储在 DDR5 领域的布局加速 。预计到 2025 年底，DDR5 将占其总产量的 60% 以上，再加上 LPDDR4 和 LPDDR5，低功耗 DRAM 生产线将为本土智能手机品牌提供有力支撑。尽管逐步淘汰标准 DDR4，但仍保留部分产线，为兆易创新进行消费级外包生产。
四、技术尚待成熟，前路仍有挑战
然而，长鑫存储 DDR5 技术尚未完全成熟。外媒消息显示，2025 年第一季度，其 DDR5 样品未能通过国内某内存制造商的集成测试，致使该制造商转而寻求韩国替代方案。不过，从过往测评来看，若散热到位，国产 DDR5 满足日常及一定程度发烧使用不成问题，已达到阶段性成果。
五、瞄准 HBM3，或成行业新突破
更引人注目的是，长鑫存储正在开发高端 HBM 解决方案，大概率指向 HBM3 。鉴于 HBM 在 AI 加速器中的关键作用，一旦成功，这将是比 DDR5 技术更具影响力的突破。若国内核心厂商获得 HBM3 持续供应，将对行业产生深远影响。
内存市场风云变幻，长鑫存储的转型之路备受瞩目。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注其后续进展，为行业提供前沿资讯与优质服务。
