9 月 2 日，据韩媒 ZDNet Korea 报道，国内存储领域两大龙头 ——长江存储与长鑫存储已启动合作，计划联合开发 DRAM 与 HBM（高带宽存储）产品，这场 “NAND+DRAM” 的跨界协同，被业内视为国产高性能存储突破海外垄断的关键一步。
长江存储与长鑫存储合作开发 HBM，双方技术互补：长鑫存储提供 HBM 所需的 DRAM 芯片基础，长江存储则输出核心的混合键合技术 —— 该技术通过芯片层间直接铜对铜连接，可减小封装厚度、提升传输速度与散热效率，且已迭代为成熟的 Xtacking 工艺，应用于多代 NAND 闪存并获国际认可（三星曾引入用于 3D NAND），为国产 HBM 研发提速。
此次合作恰逢特朗普设备出口限制政策窗口：政策禁止三星、SK 海力士向中国工厂运送美国产新设备，阻碍其在华发展，而当前全球 HBM 市场被三星、SK 海力士（市占超 50%，量产 12 层 HBM3E）、美光（DRAM 市占 21.5%，计划 2025 年底扩至 25%）垄断，国产厂商迎来突围机会。
进展上，长鑫存储计划 2026 年量产第四代 HBM3，虽与海外 HBM3E 有代差，但追赶速度超预期；华为也推出高性能数据中心 AI 固态硬盘，与两大厂商形成 “芯片 + 终端” 协同，完善国产存储产业链。
集邦咨询数据显示，2025 年一季度全球 DRAM 市场中，三星、SK 海力士、美光合计占据 94% 份额，国产厂商突围空间迫切。长江存储与长鑫存储的合作，正是瞄准这一格局的破局点 —— 用成熟的混合键合技术降低 HBM 开发门槛，用 “NAND+DRAM” 的协同补上国产存储的最后一块短板。
长江存储与长鑫存储的合作，标志着国产存储从 “各自为战” 转向 “生态协同”。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注其 HBM 研发与量产进展，助力国产存储产业链成长。
