新思科技近日宣布，其LPDDR6 IP已在台积公司N2P 工艺上成功流片并完成初步功能验证。这一成果不仅夯实了新思科技在先进工艺节点 IP 领域的领先地位，更为客户提供了经硅片验证的可信方案，精准匹配移动通讯、边缘 AI 及高性能计算（HPC）等对存储带宽要求极高的场景需求。
作为 JEDEC 最新发布的内存标准，LPDDR6 凭借双子通道架构、动态电压频率调节等技术，实现了性能与能效的双重突破，还强化了数据完整性保护等安全特性。客户采用该标准结合新思科技的验证 IP，可有效降低项目风险、提升产品性能，并显著缩短上市周期。目前，新思科技经验证的 N2/N2P 工艺 IP 组合已新增 LPDDR6，搭配 USB、MIPI 等接口 IP，为设计团队攻克功耗、性能和面积（PPA）难题提供强力支撑。
新思科技接口 IP 工程高级副总裁 Dino Toffolon 表示：“此次硅验证成果既强化了我们在先进制程 IP 领域的优势，也为客户提供了可量产的可靠方案。LPDDR6 的落地，标志着高带宽、低功耗存储接口正式迈入‘埃米级’时代。通过与台积电的深度合作，我们助力客户顺利过渡至 2 纳米及以下工艺，提前解锁下一代内存性能。”
随着 LPDDR6 进一步支持 N2P 与 N3P 工艺，移动、AI 推理、边缘计算等领域的设备制造商将能以更低风险抢占技术先机。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：新思科技与台积电的技术突破，为高端芯片存储接口创新提供了关键支撑，加速了埃米级工艺的产业化应用。
