技术参数/耗散功率: 40W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/输入电容(Ciss): 1300pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 40W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Philips (飞利浦) | 功能相似 |
PowerMOS transistor
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IRFI630GPBF
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY IRFI630GPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
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IRFI630GPBF
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TO-220 |
VISHAY IRFI630GPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
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IRFI630GPBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY IRFI630GPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
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IRFI630GPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
VISHAY IRFI630GPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
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IRFI630GPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY IRFI630GPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
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IRFI630GPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY IRFI630GPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
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IRFI640G
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
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IRFI640G
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VISHAY (威世) | 完全替代 | Full-Pak |
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
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IRFI640G
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
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STF19NF20
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STF19NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 3 V
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220 |
N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
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