技术参数/额定电压(DC): 200 V
技术参数/额定电流: 9.80 A
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 40.0 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/漏源击穿电压: 200V (min)
技术参数/连续漏极电流(Ids): 9.80 A
技术参数/上升时间: 51.0 ns
封装参数/安装方式: Through Hole
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFI640GPBF
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VISHAY (威世) | 完全替代 | TO-220-3 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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LiteOn (光宝) | 完全替代 | TO-220 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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IRFI640GPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | TO-220 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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IRFI640GPBF
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-220-3 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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IRFI640GPBF
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Vishay Intertechnology | 完全替代 | TO-220 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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IRFI640GPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-220-3 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220 |
N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
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