技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.15 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 25 W
技术参数/阈值电压: 3 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 7.50 A
技术参数/上升时间: 22 ns
技术参数/正向电压(Max): 1.6 V
技术参数/输入电容(Ciss): 800pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 25 W
技术参数/下降时间: 11 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 25W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.4 mm
外形尺寸/宽度: 4.6 mm
外形尺寸/高度: 16.4 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQPF19N20
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-220-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF19N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.8 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
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IRFI640GPBF
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | TO-220 |
功率MOSFET Power MOSFET
|
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IRFI640GPBF
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220 |
功率MOSFET Power MOSFET
|
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IRFI640GPBF
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
|
||
IRFI640GPBF
|
Vishay Intertechnology | 功能相似 | TO-220 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFI640GPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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