技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.4 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 32 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.90 A
技术参数/上升时间: 28 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 800pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 20 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 35 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/高度: 9.8 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Industrial, Commercial, Power Management
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFI630G
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | Through Hole |
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
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IRFI630G
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
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IRFI630G
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
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IRFI640GPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | TO-220 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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IRFI640GPBF
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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||
IRFI640GPBF
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
|
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IRFI640GPBF
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TO-220 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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IRFI640GPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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