技术参数/额定电压(DC): 200 V
技术参数/额定电流: 5.90 A
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 32.0 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/漏源击穿电压: 200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.90 A
技术参数/上升时间: 28.0 ns
技术参数/隔离电压: 2.50 kV
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFI630G
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | Through Hole |
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
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IRFI630G
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
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IRFI630G
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
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IRFI640GPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | TO-220 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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IRFI640GPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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IRFI640GPBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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IRFI640GPBF
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TO-220 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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IRFI640GPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY IRFI640GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
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