近日，据《日经亚洲》报道，美光科技（Micron）已敲定日本广岛工厂扩建计划——施工将于2026年5月正式启动，目标2028年实现HBM内存量产出货，此举将大幅提升其在高端内存市场的交付能力，加码全球HBM战局。
此次扩建背后是真金白银的投入与政府的强力支持。日本经济产业省今年9月已明确，将在截至2029年度的5年内，向美光广岛工厂提供最高5360亿日元（约243亿元人民币）的专项补贴；作为回应，美光承诺投入1.5万亿日元（约680亿元人民币）用于该基地的产能扩充，资金规模创下美光在日本单笔投资纪录。
扩产规划已清晰落地：美光将为广岛工厂新增先进生产设备，最终构建月产4万片高端DRAM晶圆的产能，其中核心产能将用于HBM产品。按照时间表，工厂扩建完成后，将于2028年6-8月启动HBM出货，2030年3-5月达成满负荷生产。值得注意的是，美光获得日本政府补贴附带明确条件——量产后需持续生产10年以上，且在市场供需紧张时需响应日本政府的增产要求，这既体现了双方的利益绑定，也凸显了HBM对产业安全的战略价值。
对美光而言，此次扩建是其HBM赛道的关键落子。今年以来，凭借技术突破，美光曾一度跻身全球HBM出货量第二的位置，仅次于三星，但与头部企业的产能差距仍较明显。美光明确表示，其长期目标是让HBM业务在整体DRAM营收中的占比，达到与普通DRAM相当的水平，而广岛工厂的扩建正是实现这一目标的核心支撑。
HBM的爆发式需求为美光提供了绝佳机遇。随着AI大模型、自动驾驶等技术的发展，普通DRAM已难以满足高算力芯片的带宽需求，HBM凭借堆叠结构实现的高带宽、低功耗优势，成为英伟达H100、AMD MI300等旗舰AI芯片的“标配”。市场研究机构预测，2025年全球HBM市场规模将突破200亿美元，2030年有望达到千亿美元级别，巨大的市场空间吸引着各大内存厂商加速布局。
除了日本战场，美光的全球扩产蓝图同步推进。其计划在未来20年在美国本土建成6座DRAM晶圆厂，形成“美国本土+日本广岛”的双核心生产基地格局。这种全球化布局既能依托日本在半导体材料、精密制造领域的优势聚焦HBM高端产品，又能借助美国本土产业链配套抢占北美AI客户市场，形成互补优势。
当前全球HBM市场呈现“三星领跑、SK海力士紧追、美光突围”的竞争格局，美光广岛工厂的扩建将打破现有产能平衡。业内人士分析，随着美光等企业的新产能逐步释放，HBM市场供不应求的局面有望在2028年后得到缓解，但技术壁垒与产能规模仍将是企业竞争的核心要素。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：美光加码HBM是顺势而为，广岛工厂将成其冲击全球高端内存市场的关键支点。
