8 月 12 日消息，在美东时间 8 月 11 日举行的 2025 年 Keybanc 技术大会上，美光首席商务官（CBO）Sumit Sadana 发表了令人瞩目的观点：定制 HBM 内存将在HBM4演进至HBM4E的时代正式落地。
Sumit Sadana 指出，从HBM4起，HBM4 内存基础芯片 Base Die采用逻辑 CMOS 制程，目前该芯片主要集成内存接口 IP。而到了HBM4E世代，部分客户期望把AI xPU的特定功能电路 “卸载” 到HBM 的 Base Die中，以此提升xPU 的芯片面积利用率，由此催生了 “定制 HBM 内存”。这意味着HBM 内存不再仅仅作为AI xPU的片外缓存拓展，更是成为xPU 逻辑功能的一部分，并且定制 HBM 内存无法与JEDEC 标准 HBM直接兼容。
另一方面，HBM 基础芯片的定制成本高昂。除了如英伟达这样的AI 芯片霸主，大多数xPU 企业难以凭借单个芯片与三大HBM 内存原厂同时开展定制合作。这就导致其定制 HBM 供应只能锁定在一至两家原厂，这种供需结构的变化将深刻重塑HBM 内存市场，大量 “特供”定制 HBM合作模式即将形成。
在发布这一重要行业观点的同日，美光还宣布上调 2025 财年第四财季（截至 8 月 28 日）财务数据指引。营收预期从 107±3 亿美元提升至 112±1 亿美元。Sumit Sadana 解释称，美光出货量预期未变，营收指引上调源于平均单价上涨，背后驱动力则是AI 与数据中心需求的强劲增长，以及HBM对非HBM 的 DRAM 产能的挤压。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：美光揭示HBM4E时代新趋势，定制 HBM 内存落地及 “特供” 格局形成，有望影响产业走向，值得关注。
