近日，据外媒Syracuse报道，美光最新披露文件显示，其投资规模达2000亿美元的美国晶圆厂建设计划出现重大调整：纽约州克莱市的晶圆厂项目将延期5年，而爱达荷州第二座晶圆厂（ID2）建设将全面加速，美国《芯片与科学法案》的补贴资金也将优先向爱达荷州项目倾斜。
回溯今年6月，美光曾高调宣布2000亿美元美国投资蓝图：500亿美元用于研发，1500亿美元专攻产能扩张，涵盖爱达荷州博伊西第二座内存工厂、弗吉尼亚州工厂扩建、纽约州四座大批量晶圆厂，以及AI核心部件高带宽内存（HBM）的美国本土封装能力建设。彼时计划中，纽约首座晶圆厂（Fab 1）预计2028年下半年完工，2030年启动DRAM生产。
但最新文件显示，这一时间线已大幅后移。根据修订后的环境影响报告（EIS），纽约Fab 1建设周期从3年延长至4年，完工时间推迟至2030年底，比最初预期晚5年；后续三座晶圆厂开工时间也相应延后，整个纽约项目全面投产要等到2045年，同样比原计划晚5年。目前新计划已获奥农达加县工业发展局批准，场地准备工作可同步推进。
与纽约项目遇冷形成对比的是爱达荷州的“加速键”。美光明确将提前推进该州ID2工厂建设，其现有设施与新建工厂将比纽约项目更早完工。这一优先级调整已反映在政策资金上——美光与美国商务部修订了61亿美元《芯片与科学法案》融资协议，将纽约运营启动窗口延长约2年，把资源集中投向爱达荷州。据悉，爱达荷州两座工厂紧邻美光研发中心，可形成规模效应，助力HBM等前沿产品快速落地，这也是其获优先支持的核心原因，该项目预计创造超1.7万个就业岗位。
对于调整原因，美光未作详细说明，但行业普遍认为是战略资源的优化配置。当前AI热潮下，HBM与先进DRAM需求激增，爱达荷州项目凭借研发与制造协同优势，更能快速响应市场；而纽约项目涉及四座工厂的大规模布局，建设复杂度更高，延后推进可降低投资风险。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：美光的项目倾斜是锚定AI需求的理性选择，虽短期影响全球存储产能节奏，但长期利于资源聚焦核心赛道。
