5 月 13 日消息，韩媒《朝鲜日报》援引行业消息透露，三星电子基于GAA（全环绕栅极）晶体管结构的 3nm 和 2nm 制程良率取得重大突破 ——3nm 节点良率超过 60%，2nm 节点良率突破 40%。这一进展不仅标志着三星在先进制程领域的技术瓶颈逐步突破，更预示着其与台积电的全球代工竞争进入白热化阶段。
技术突破：GAA 架构的生死突围
三星作为全球首家量产 GAA 工艺的厂商，其 3nm 制程自 2022 年商用以来，长期受制于良率低迷和性能争议。此次测试芯片良率突破 60%，意味着该制程已跨过量产可行性门槛，距离大规模商业化更近一步。GAA 技术通过将栅极环绕纳米线 / 纳米片的设计，实现对电流的全方位控制，较传统 FinFET 结构可降低 30% 漏电率、提升 15% 性能。
不过，三星的 2nm 节点仍面临挑战。尽管良率提升至 40%，但较台积电同期研发进度仍有差距。台积电计划 2025 年试产 2nm GAA 工艺，而三星目标是同年实现量产，试图通过时间差抢占市场。
量产进程：3nm 迈向商业化，2nm 锁定大客户
三星 3nm 制程的良率改善直接利好其代工业务。目前，三星正与英伟达、高通等客户就 2nm 工艺展开性能评估，其中英伟达下一代 Blackwell 架构 GPU、高通骁龙 X Elite 移动平台均进入测试最后阶段。若评估通过，三星有望在 2025 年下半年获得首批 2nm 订单，打破其在先进制程领域 “技术领先、客户匮乏” 的困境。
值得注意的是，三星自家旗舰手机也将成为 2nm 技术的试验田。有消息称，2025 年下半年发布的 Galaxy Z Fold8/Flip8 折叠屏手机，将搭载三星 2nm 代工的高通骁龙 8 Elite Gen 2 处理器，这是三星首次在高端机型中采用自研先进制程。
市场竞争：挑战台积电的关键筹码
台积电目前在 3nm 市场占据绝对优势，苹果 A17 Pro 等核心订单几乎被其垄断。三星此次良率突破，可能吸引 AMD、谷歌等对成本敏感的客户分流订单。尤其在 HBM 存储芯片领域，三星通过 GAA 与 3D 封装技术结合，已形成差异化竞争力，正试图从台积电手中争夺英伟达 GPU 订单。
行业数据显示，台积电在全球晶圆代工市场份额达 58.5%，三星仅占 15.8%。但三星通过价格折扣、技术授权等策略，正逐步扩大客户群。例如，其第二代 3nm 工艺（SF3）已获得日本 PFN 等企业订单，2nm 制程更计划联合 Arm 优化设计工具，缩短客户开发周期。
行业影响：技术迭代与产业链重构
GAA 技术的普及将加速半导体产业向埃米级（<1nm）过渡。台积电、英特尔均计划在 2nm 节点采用 GAA 架构，而三星通过提前量产建立先发优势。这一趋势推动 ASML 等设备商 High-NA EUV 光刻机订单激增，单台设备价格突破 4 亿美元，直接拉动半导体设备投资热潮。
对于电子元器件采购而言，先进制程良率提升将缓解高端芯片供应紧张。亿配芯城与ICGOODFIND平台数据显示，近期 3nm 相关封装材料、测试设备询单量环比增长 23%，反映出市场对三星技术突破的积极预期。未来，随着三星 2nm 产能释放，AI 芯片、汽车 SoC 等高端应用的成本有望进一步下降，推动下游智能硬件创新。
