型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: -60V,-18.5A,功率MOSFET868410+¥8.7360100+¥8.2992500+¥8.00801000+¥7.99342000+¥7.93525000+¥7.86247500+¥7.804210000+¥7.7750
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品类: MOS管描述: 由于SFT1342是MOSFET产品,请避免在高电荷的物体附近使用本设备 Since the SFT1342 is a MOSFET product, please avoid using this device in the vicinity of highly charged objects37725+¥19.445450+¥18.6144200+¥18.1490500+¥18.03271000+¥17.91642500+¥17.78345000+¥17.70037500+¥17.6172
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品类: MOS管描述: TP P-CH 40V 19A88295+¥2.956525+¥2.737550+¥2.5842100+¥2.5185500+¥2.47472500+¥2.42005000+¥2.398110000+¥2.3652
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品类: MOS管描述: 相脚意甲和碳化硅二极管并联超级结MOSFET功率模块 Phase leg Serie & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module87621+¥646.072210+¥623.403050+¥620.5694100+¥617.7357150+¥613.2019250+¥609.2348500+¥605.26761000+¥600.7338
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor693910+¥6.4080100+¥6.0876500+¥5.87401000+¥5.86332000+¥5.82065000+¥5.76727500+¥5.724510000+¥5.7031
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品类: MOS管描述: 双降压斩波超级结MOSFET功率模块 Dual buck chopper Super Junction MOSFET Power Module63551+¥502.895010+¥489.776050+¥479.7181100+¥476.2197200+¥473.5959500+¥470.09751000+¥467.91102000+¥465.7245
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品类: MOS管描述: MOSFET, P-Ch, Vds -40V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 5mohm, Id 110A, TO-263, Pd 375W55855+¥12.156350+¥11.6368200+¥11.3459500+¥11.27321000+¥11.20042500+¥11.11735000+¥11.06547500+¥11.0134
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品类: MOS管描述: Mosfet n/p-Ch 50V/30V Ssmini-6p63155+¥2.875525+¥2.662550+¥2.5134100+¥2.4495500+¥2.40692500+¥2.35375000+¥2.332410000+¥2.3004
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(2+Tab) TO-26366815+¥17.982950+¥17.2144200+¥16.7840500+¥16.67651000+¥16.56892500+¥16.44595000+¥16.36917500+¥16.2922
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品类: MOS管描述: N沟道30V - 0.020ohm - 6A - TSSOP8 2.5V驱动STripFE TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.020ohm - 6A - TSSOP8 2.5V-drive STripFE TM II Power MOSFET799020+¥0.634550+¥0.5875100+¥0.5640300+¥0.5452500+¥0.53111000+¥0.52175000+¥0.512310000+¥0.5029
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。37775+¥20.439950+¥19.5664200+¥19.0772500+¥18.95501000+¥18.83272500+¥18.69295000+¥18.60567500+¥18.5182
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品类: MOS管描述: P沟道 12V 200mA877620+¥0.202550+¥0.1875100+¥0.1800300+¥0.1740500+¥0.16951000+¥0.16655000+¥0.163510000+¥0.1605
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品类: MOS管描述: DMP3030 系列 20 V 250 mOhm P 沟道 增强模式 场效应 晶体管 -SC59337010+¥0.783050+¥0.7424100+¥0.7134300+¥0.6960500+¥0.67861000+¥0.66122500+¥0.63515000+¥0.6293
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品类: MOS管描述: ZVP3310 系列 P 沟道 100 V 140 mA 625 mW 垂直 DMOS FET - TO-9219415+¥4.293025+¥3.975050+¥3.7524100+¥3.6570500+¥3.59342500+¥3.51395000+¥3.482110000+¥3.4344
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品类: MOS管描述: INFINEON IPD50P03P4L-11 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.0083 ohm, -10 V, -1.5 V846710+¥8.6280100+¥8.1966500+¥7.90901000+¥7.89462000+¥7.83715000+¥7.76527500+¥7.707710000+¥7.6789
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品类: MOS管描述: INFINEON SPA07N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V100510+¥9.6000100+¥9.1200500+¥8.80001000+¥8.78402000+¥8.72005000+¥8.64007500+¥8.576010000+¥8.5440
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品类: MOS管描述:31425+¥5.049025+¥4.675050+¥4.4132100+¥4.3010500+¥4.22622500+¥4.13275000+¥4.095310000+¥4.0392
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6Pin SC-95 Embossed T/R13045+¥3.550525+¥3.287550+¥3.1034100+¥3.0245500+¥2.97192500+¥2.90625000+¥2.879910000+¥2.8404
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品类: MOS管描述: P沟道 20V 6A26265+¥1.755025+¥1.625050+¥1.5340100+¥1.4950500+¥1.46902500+¥1.43655000+¥1.423510000+¥1.4040