型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: MOSFET, P-Ch, Vds -40V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 5mohm, Id 110A, TO-263, Pd 375W55855+￥12.156350+￥11.6368200+￥11.3459500+￥11.27321000+￥11.20042500+￥11.11735000+￥11.06547500+￥11.0134 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n/p-Ch 50V/30V Ssmini-6p63155+￥2.875525+￥2.662550+￥2.5134100+￥2.4495500+￥2.40692500+￥2.35375000+￥2.332410000+￥2.3004 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(2+Tab) TO-26366815+￥17.982950+￥17.2144200+￥16.7840500+￥16.67651000+￥16.56892500+￥16.44595000+￥16.36917500+￥16.2922 -
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品类: MOS管描述: N沟道30V - 0.020ohm - 6A - TSSOP8 2.5V驱动STripFE TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.020ohm - 6A - TSSOP8 2.5V-drive STripFE TM II Power MOSFET799020+￥0.634550+￥0.5875100+￥0.5640300+￥0.5452500+￥0.53111000+￥0.52175000+￥0.512310000+￥0.5029 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。37775+￥20.439950+￥19.5664200+￥19.0772500+￥18.95501000+￥18.83272500+￥18.69295000+￥18.60567500+￥18.5182 -
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品类: MOS管描述: P沟道 12V 200mA877620+￥0.202550+￥0.1875100+￥0.1800300+￥0.1740500+￥0.16951000+￥0.16655000+￥0.163510000+￥0.1605 -
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品类: MOS管描述: DMP3030 系列 20 V 250 mOhm P 沟道 增强模式 场效应 晶体管 -SC59337010+￥0.783050+￥0.7424100+￥0.7134300+￥0.6960500+￥0.67861000+￥0.66122500+￥0.63515000+￥0.6293 -
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品类: MOS管描述: ZVP3310 系列 P 沟道 100 V 140 mA 625 mW 垂直 DMOS FET - TO-9219415+￥4.293025+￥3.975050+￥3.7524100+￥3.6570500+￥3.59342500+￥3.51395000+￥3.482110000+￥3.4344 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPD50P03P4L-11 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.0083 ohm, -10 V, -1.5 V846710+￥8.6280100+￥8.1966500+￥7.90901000+￥7.89462000+￥7.83715000+￥7.76527500+￥7.707710000+￥7.6789 -
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品类: MOS管描述: INFINEON SPA07N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V100510+￥9.6000100+￥9.1200500+￥8.80001000+￥8.78402000+￥8.72005000+￥8.64007500+￥8.576010000+￥8.5440 -
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品类: MOS管描述:31425+￥5.049025+￥4.675050+￥4.4132100+￥4.3010500+￥4.22622500+￥4.13275000+￥4.095310000+￥4.0392 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6Pin SC-95 Embossed T/R13045+￥3.550525+￥3.287550+￥3.1034100+￥3.0245500+￥2.97192500+￥2.90625000+￥2.879910000+￥2.8404 -
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品类: MOS管描述: P沟道 20V 6A26265+￥1.755025+￥1.625050+￥1.5340100+￥1.4950500+￥1.46902500+￥1.43655000+￥1.423510000+￥1.4040 -
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品类: MOS管描述: UPA1915TE P沟道MOS场效应管 -20V 4.5A 0.045ohm SOT-163 marking/标记 TH 4V驱动 低导通电阻66185+￥14.882450+￥14.2464200+￥13.8902500+￥13.80121000+￥13.71222500+￥13.61045000+￥13.54687500+￥13.4832 -
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品类: MOS管描述: SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE47481+￥451.490010+￥439.712050+￥430.6822100+￥427.5414200+￥425.1858500+￥422.04501000+￥420.08202000+￥418.1190 -
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品类: MOS管描述: 900V,3.1A,N沟道功率MOSFET35255+￥3.685525+￥3.412550+￥3.2214100+￥3.1395500+￥3.08492500+￥3.01675000+￥2.989410000+￥2.9484 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPA90R800C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 900 V, 0.62 ohm, 10 V, 3 V969310+￥9.3840100+￥8.9148500+￥8.60201000+￥8.58642000+￥8.52385000+￥8.44567500+￥8.383010000+￥8.3518 -
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品类: MOS管描述: TO-220FP N-CH 900V 5.1A48525+￥6.237025+￥5.775050+￥5.4516100+￥5.3130500+￥5.22062500+￥5.10515000+￥5.058910000+￥4.9896 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能36075+￥5.994025+￥5.550050+￥5.2392100+￥5.1060500+￥5.01722500+￥4.90625000+￥4.861810000+￥4.7952
