型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=190mA P=325mW311420+￥0.148550+￥0.1375100+￥0.1320300+￥0.1276500+￥0.12431000+￥0.12215000+￥0.119910000+￥0.1177 -
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品类: MOS管描述: 20A,30V逻辑电平的功率MOSFET79755+￥3.348025+￥3.100050+￥2.9264100+￥2.8520500+￥2.80242500+￥2.74045000+￥2.715610000+￥2.6784 -
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品类: MOS管描述: N沟道 30V 303A71565+￥25.201850+￥24.1248200+￥23.5217500+￥23.37091000+￥23.22012500+￥23.04785000+￥22.94017500+￥22.8324 -
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR NTR4003NT3G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 560mA SOT-23, 整卷667620+￥0.472550+￥0.4375100+￥0.4200300+￥0.4060500+￥0.39551000+￥0.38855000+￥0.381510000+￥0.3745 -
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR NVTFS5826NLTAG MOSFET Transistor, N Channel, 7.6 A, 60 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V 新41585+￥2.065525+￥1.912550+￥1.8054100+￥1.7595500+￥1.72892500+￥1.69075000+￥1.675410000+￥1.6524 -
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品类: MOS管描述: 150V,152A,N沟道MOSFET89085+￥22.288550+￥21.3360200+￥20.8026500+￥20.66931000+￥20.53592500+￥20.38355000+￥20.28837500+￥20.1930 -
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品类: MOS管描述: RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 100W, Typ Gain in dB is 18.3 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT179318631+￥490.624510+￥477.825650+￥468.0131100+￥464.6001200+￥462.0403500+￥458.62731000+￥456.49412000+￥454.3610 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R84025+￥21.762050+￥20.8320200+￥20.3112500+￥20.18101000+￥20.05082500+￥19.90205000+￥19.80907500+￥19.7160 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC72471+￥82.696510+￥79.1010100+￥78.4538250+￥77.9504500+￥77.15941000+￥76.79992500+￥76.29655000+￥75.8651 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDV305N, 900 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装854610+￥0.945050+￥0.8960100+￥0.8610300+￥0.8400500+￥0.81901000+￥0.79802500+￥0.76655000+￥0.7595 -
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品类: MOS管描述: TO-220 整包399510+￥8.2920100+￥7.8774500+￥7.60101000+￥7.58722000+￥7.53195000+￥7.46287500+￥7.407510000+￥7.3799 -
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品类: MOS管描述: STB21N 系列 N 沟道 710 V 17 A 179 mOhm 125 W 功率 Mosfet - D2PAK55465+￥28.185350+￥26.9808200+￥26.3063500+￥26.13771000+￥25.96902500+￥25.77635000+￥25.65597500+￥25.5354 -
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品类: MOS管描述: 的CoolMOS ™功率晶体管 CoolMOS? Power Transistor59005+￥3.064525+￥2.837550+￥2.6786100+￥2.6105500+￥2.56512500+￥2.50845000+￥2.485710000+￥2.4516 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。34045+￥4.644025+￥4.300050+￥4.0592100+￥3.9560500+￥3.88722500+￥3.80125000+￥3.766810000+￥3.7152 -
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品类: MOS管描述: VISHAY SIHG20N50E-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO247AC-376435+￥13.127450+￥12.5664200+￥12.2522500+￥12.17371000+￥12.09522500+￥12.00545000+￥11.94937500+￥11.8932 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPD30N03S4L-14 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0112 ohm, 10 V, 1.5 V99405+￥4.009525+￥3.712550+￥3.5046100+￥3.4155500+￥3.35612500+￥3.28195000+￥3.252210000+￥3.2076 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK651910+￥10.0200100+￥9.5190500+￥9.18501000+￥9.16832000+￥9.10155000+￥9.01807500+￥8.951210000+￥8.9178 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。98565+￥5.170525+￥4.787550+￥4.5194100+￥4.4045500+￥4.32792500+￥4.23225000+￥4.193910000+￥4.1364 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDP7060, 75 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装24021+￥48.812210+￥46.0115100+￥43.9310250+￥43.6109500+￥43.29081000+￥42.93072500+￥42.61075000+￥42.4106 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能47471+￥76.843010+￥73.5020100+￥72.9006250+￥72.4329500+￥71.69791000+￥71.36382500+￥70.89605000+￥70.4951
