简介：安世半导体（Nexperia）是一家全球半导体制造商，成立于 2017 年，总部位于荷兰奈梅亨，在德国汉堡和英国大曼彻斯特郡设有前端工厂。该公司前身为恩智浦半导体（NXP Semiconductors，其前身为飞利浦半导体）的标准产品业务部门。
安世半导体的产品范围涵盖双极晶体管、二极管、静电放电（ESD）保护器件、瞬态电压抑制（TVS）二极管、金属 - 氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及逻辑器件。其主要产品类别包括：分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件。
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描述:
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
2887
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描述:
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
8625
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描述:
稳压二极管 TDZ5V6J/SOD2/REEL 13" Q1/T1 *S
6804
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描述:
齐纳二极管 500mW，TDZxJ 系列，Nexperia ### 齐纳二极管，Nexperia
5028
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描述:
稳压二极管 TDZ2V4J/SOD2/REEL 13" Q1/T1 *S
8135
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描述:
单管二极管 齐纳, 20 V, 500 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
2100
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描述:
IC BCD-7SEG LATCH/DEC/DVR 16SOIC
9813
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描述:
74HCT4020 系列 5 V 14级 二进制 纹波计数器 - SOIC-16
3925
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描述:
NXP 74HCT4046AD,112 锁相环电路, 16引脚 SOIC封装
5254
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描述:
BAT854W 系列 40 V 200 mA 表面贴装 肖特基 势垒 二极管 - SOT-323
4426
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描述:
TRANS NPN 140V 0.3A SOT323
7973
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描述:
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89
6755
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描述:
TRANS NPN 15V 0.2A SOT323
2888
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描述:
Nexperia 二极管 1PS70SB14,115 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
9825
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描述:
PBSS4140DPN 系列 40 V 1 A 表面贴装 低 VCEsat NPN / PNP 晶体管 - SC-74-6
4953
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描述:
Nexperia PBSS5320T,215 , PNP 晶体管, 2 A, Vce=20 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
8593
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描述:
PBSS4540X 系列 40 V 5 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
8579
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描述:
Nexperia PBSS4520X,135 , NPN 晶体管, 5 A, Vce=20 V, HFE:200, 125 MHz, 4引脚 UPAK封装
2596
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描述:
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 2.1 W, 6 A, 440 hFE
6864
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描述:
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
1712
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描述:
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
7703
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描述:
Nexperia PBSS4140U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 UMT封装
4943
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描述:
Nexperia PBSS4140T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
7601
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描述:
Nexperia PBSS4032SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 5.7 A, Vce=30 V, HFE:200 (PNP), 300 (NPN), 100 MHz, 8引脚
8795
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描述:
复合晶体管，Nexperia ### 双极晶体管，Nexperia
3149
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描述:
Nexperia BSP52,115 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
1443
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描述:
P沟道 VDS=−30V VGS=±20V ID=−3A P=1.65W
4690
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描述:
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSP250,115, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
9448
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描述:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 5W; SOT223
4541
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描述:
N-沟道 300 V 6 Ohm 1.5 W 表面贴装 增强型 D-MOS 晶体管 SOT-223
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