技术参数/额定功率: 1.25 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 1.25 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 2000 @500mA, 10V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 1000
技术参数/额定功率(Max): 1.25 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 2000
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/增益带宽: 200 MHz
技术参数/耗散功率(Max): 1.25 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/长度: 6.7 mm
外形尺寸/宽度: 3.7 mm
外形尺寸/高度: 1.7 mm
外形尺寸/封装: TO-261-4
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 电源管理, 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC817,215
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP BC817,215 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 100 hFE
|
||
BSP52T1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-261-4 |
ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE
|
||
BSP52T1G
|
onsemi | 功能相似 | SOT-223 |
ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE
|
||
BSP52T3G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-261-4 |
ON SEMICONDUCTOR BSP52T3G 达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223
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