技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 89.0 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 900 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 5.70 A |
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技术参数/上升时间： | 20 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 850pF @100V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 89 W |
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技术参数/下降时间： | 35 ns |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-262-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.2 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.4 mm |
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外形尺寸/高度： | 9.45 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-262-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IPI90R1K2C3
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-262-3 |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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IPP90R1K2C3
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
INFINEON IPP90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
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