技术参数/漏源极电阻： | 0.85 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 50 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 500 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 4.5A |
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技术参数/上升时间： | 5 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 470pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 50 W |
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技术参数/下降时间： | 10 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 50W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.73 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.22 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.41 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Not Recommended for New Designs |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SPD06N60C3BTMA1
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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