技术参数/频率： | 2.17 GHz |
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技术参数/无卤素状态： | Halogen Free |
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技术参数/输出功率： | 24 W |
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技术参数/增益： | 18.3 dB |
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技术参数/测试电流： | 700 mA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 225 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/额定电压： | 65 V |
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技术参数/电源电压： | 28 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | NI-780S |
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外形尺寸/封装： | NI-780S |
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物理参数/重量： | 4763.0 mg |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 225℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MRF8S21100HSR3
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | NI-780S |
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 100W, Typ Gain in dB is 18.3 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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MRF8S21120HSR3
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | NI-780S |
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 107W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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