技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 1W (Ta), 2.1W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -3.00 A
技术参数/输入电容(Ciss): 250pF @10V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 1W (Ta), 2.1W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI2301BDS-T1-E3
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Vishay Dale (威世达勒) | 类似代替 |
MOSFET; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.08Ω; ID -2.2A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W; VGS +/-8V
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SI2301BDS-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
MOSFET; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.08Ω; ID -2.2A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W; VGS +/-8V
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SI2301BDS-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3Pin TO-236 T/R
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SI2301BDS-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOT-23-3 |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3Pin TO-236 T/R
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SI2351DS-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-236 |
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
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