技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.092 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/漏源极电压(Vds): -20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -3.00 A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-236
外形尺寸/封装: TO-236
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI2301CDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOT-23 |
P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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