技术参数/漏源极电阻: 0.15 Ω
技术参数/耗散功率: 0.7 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/上升时间: 40 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 375pF @6V(Vds)
技术参数/下降时间: 40 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 700mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3.04 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1.02 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI2301BDS-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3Pin TO-236 T/R
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||
SI2301BDS-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOT-23-3 |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3Pin TO-236 T/R
|
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SI2351DS-T1-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-236 |
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
|
||
SI2351DS-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
MOSFET 20V 3A 2.1W 115mohms @ 4.5V
|
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