技术参数/漏源极电阻： | 80 mΩ |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 700 mW |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | -2.20 A |
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技术参数/上升时间： | 40 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 375pF @6V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 20 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 700mW (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/长度： | 2.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.6 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.45 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
AO3413
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Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) | 功能相似 | SOT-23-3 |
P沟道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5V
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AO3413
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Alpha (阿尔法) | 功能相似 |
P沟道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5V
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KUU（永裕泰) | 功能相似 | SOT-23-3L |
-20V,-2A,P沟道MOSFET
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AO3423
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AOS/万代 | 功能相似 | SOT23 |
-20V,-2A,P沟道MOSFET
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SI2301BDS-T1-E3
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Vishay Dale (威世达勒) | 类似代替 |
MOSFET; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.08Ω; ID -2.2A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W; VGS +/-8V
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SI2301BDS-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
MOSFET; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.08Ω; ID -2.2A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W; VGS +/-8V
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SI2351DS-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-236 |
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
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