| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDN338P
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN338P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -800 mV
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FDN338P
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN338P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -800 mV
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FDN338P
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SHIKUES (时科) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN338P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -800 mV
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SHIKUES (时科) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN340P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV
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FDN340P
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN340P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV
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FDN340P
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN340P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV
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FDN342P
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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