技术参数/漏源极电阻: 0.049 Ω
技术参数/耗散功率: 1.1 W
技术参数/阈值电压: 2.2 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/输入电容(Ciss): 235pF @15V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/06/16
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
DMN3115UDMQ-7
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Diodes (美台) | 功能相似 | DFN |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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IFA | 功能相似 |
INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V
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IRLML0030TRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V
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MGSF1N03LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MGSF1N03LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V
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SI2306BDS-T1-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2306BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
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SI2306BDS-T1-E3
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2306BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
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SI2306BDS-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2306BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
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SI2306BDS-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-236 |
VISHAY SI2306BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
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TN0201K-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOT-23 |
VISHAY TN0201K-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 420 mA, 20 V, 800 mohm, 4.5 V, 2 V
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TN0201K-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23-3 |
VISHAY TN0201K-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 420 mA, 20 V, 800 mohm, 4.5 V, 2 V
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TN0201K-T1-E3
|
Vishay Intertechnology | 功能相似 | SOT-23-3 |
VISHAY TN0201K-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 420 mA, 20 V, 800 mohm, 4.5 V, 2 V
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UT2306G-AE2-R
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UTC (友顺) | 功能相似 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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UT2306G-AE3-R
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UTC (友顺) | 功能相似 | SOT-23 |
MOS场效应管 UT2306G SOT-23 N沟道,30V,3.5A,65mΩ@10V
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