技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 750 mA
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.1 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 730 mW
技术参数/阈值电压: 1.7 V
技术参数/输入电容: 140pF @5V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 2.10 A, 1.60 mA
技术参数/上升时间: 1 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 140pF @5V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 420 mW
技术参数/下降时间: 8 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 420mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3.04 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1.01 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业, 计算机和计算机周边, Power Management, Consumer Electronics, 消费电子产品, 便携式器材, Industrial, Portable Devices, 电源管理, Computers & Computer Peripherals
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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TI (德州仪器) | 类似代替 |
N沟道 30 V 0.085 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3
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