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型号： SI2306BDS-T1-E3
描述： VISHAY SI2306BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
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品 牌： Vishay Semiconductor (威世)
封 装： TO-236
货 期：
包装方式： Tape & Reel (TR)
标准包装数： 1
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50+:
￥ 0.9306
100+:
￥ 0.8942
300+:
￥ 0.8724
500+:
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 0.038 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 1.25 W

技术参数/阈值电压: 3 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V

技术参数/漏源击穿电压: 30 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 3.16 A

技术参数/上升时间: 12 ns

技术参数/热阻: 100℃/W (RθJA)

技术参数/输入电容(Ciss): 305pF @15V(Vds)

技术参数/下降时间: 10 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 0.75 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-236

外形尺寸/长度: 3.04 mm

外形尺寸/宽度: 1.4 mm

外形尺寸/高度: 1.02 mm

外形尺寸/封装: TO-236

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

其他/制造应用: Power Management, Industrial

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2N7002 2N7002 Diotec Semiconductor 功能相似 SOT-23-3(TO-236)
N沟道 60V 280A
2N7002 2N7002 UTC (友顺) 功能相似 SOT-23-3
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 ZSKY 功能相似 SOT-23
N沟道 60V 280A
2N7002 2N7002 KUU（永裕泰) 功能相似 SOT-23
N沟道 60V 280A
2N7002 2N7002 Major Brands 功能相似 SOT-23
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 Secos 功能相似 SOT-23
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 Calogic 功能相似
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 Fairchild (飞兆/仙童) 功能相似 SOT-23-3
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 ON Semiconductor (安森美) 功能相似 SOT-23-3
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 NTE Electronics 功能相似
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 Supertex (超科) 功能相似 SOT-23
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 Nexperia (安世) 功能相似 SOT-23-3
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 Central Semiconductor 功能相似 SOT-23
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 Kexin 功能相似 SOT-23
N沟道 60V 280A
2N7002 2N7002 Vishay Siliconix 功能相似 SOT-23
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 Taitron 功能相似
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 ST Microelectronics (意法半导体) 功能相似 SOT-23-3
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 Chenmko 功能相似 SOT-23
N沟道 60V 280A
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2N7002 2N7002 TI (德州仪器) 功能相似
N沟道 60V 280A
2N7002 2N7002 VISHAY (威世) 功能相似 SOT-23
N沟道 60V 280A
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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) 类似代替 SOT-23-3
MOSFET 60V 300mA 0.35W 2Ω @ 10V
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Intertechnology 类似代替
MOSFET 60V 300mA 0.35W 2Ω @ 10V
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF IFA 功能相似
INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF International Rectifier (国际整流器) 功能相似 SOT-23-3
INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY (威世) 类似代替 SOT-23-3
VISHAY SI2304DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix 类似代替 SOT-23-3
VISHAY SI2304DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) 类似代替 TO-236
VISHAY SI2304DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnology 类似代替 TO-236
VISHAY SI2304DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V
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SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 VISHAY (威世) 类似代替 SOT-23-3
VISHAY SI2306BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236
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SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix 类似代替 SOT-23-3
VISHAY SI2306BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236
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SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Intertechnology 类似代替 TO-236-3
VISHAY SI2306BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236
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