技术参数/漏源极电阻: 800 mΩ
技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/阈值电压: 2 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BS170
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GE (通用电气) | 功能相似 |
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
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BS170
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
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BS170
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Major Brands | 功能相似 | TO-92 |
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
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SI2304DDS-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2304DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V
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SI2304DDS-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2304DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V
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SI2304DDS-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-236 |
VISHAY SI2304DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V
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SI2304DDS-T1-GE3
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TO-236 |
VISHAY SI2304DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V
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