技术参数/耗散功率: 0.8 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-39
外形尺寸/封装: TO-39
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6798
|
Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
|
||
2N6798
|
TT Electronics Resistors | 完全替代 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
|
|||
|
2N6798
|
Semelab | 完全替代 | TO-39 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
|
||
2N6798
|
SEME-LAB | 完全替代 | TO-39 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
|
||
2N6798
|
Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
|
||
IRFE230
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | LLCC |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 16Pin LCC-4
|
||
IRFF230
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-39 |
TO-39 N-CH 200V 5.5A
|
||
IRFF230
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-39 |
TO-39 N-CH 200V 5.5A
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价