技术参数/耗散功率: 800mW (Ta), 25W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/额定功率(Max): 800 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-205
外形尺寸/封装: TO-205
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6798
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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2N6798
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TT Electronics Resistors | 功能相似 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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2N6798
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Semelab | 功能相似 | TO-39 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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2N6798
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SEME-LAB | 功能相似 | TO-39 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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2N6798
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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IRFF230
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-39 |
TO-39 N-CH 200V 5.5A
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IRFF230
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-39 |
TO-39 N-CH 200V 5.5A
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JANTX2N6798
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-39 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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IRF | 完全替代 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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JANTX2N6798
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-205 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
|
||
JANTX2N6798
|
Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-39 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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|
JANTXV2N6798
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-205 |
5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
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