技术参数/漏源极电阻: 400 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 25 W
技术参数/产品系列: IRFF230
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/漏源击穿电压: 200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.50 A
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-39
外形尺寸/封装: TO-39
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6798
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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2N6798
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TT Electronics Resistors | 完全替代 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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2N6798
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Semelab | 完全替代 | TO-39 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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2N6798
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SEME-LAB | 完全替代 | TO-39 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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2N6798
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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JANTX2N6798
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-39 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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IRF | 完全替代 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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JANTX2N6798
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-205 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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JANTX2N6798
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-39 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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JANTXV2N6798
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-205 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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