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型号: 2N6798
描述: Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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品 牌: Semelab
封 装: TO-39
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技术参数/上升时间: 42 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 600pF @25V(Vds)

技术参数/下降时间: 30 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 25000 mW

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-39

外形尺寸/封装: TO-39

其他/产品生命周期: Active

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2N6798 2N6798 Microsemi (美高森美) 功能相似 TO-205
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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2N6798 2N6798 TT Electronics Resistors 功能相似
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
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2N6798 2N6798 Semelab 功能相似 TO-39
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2N6798 2N6798 SEME-LAB 功能相似 TO-39
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IRFF230 IRFF230 Infineon (英飞凌) 功能相似 TO-39
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JANTX2N6798 JANTX2N6798 International Rectifier (国际整流器) 完全替代 TO-39
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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JANTX2N6798 JANTX2N6798 IRF 完全替代
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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JANTX2N6798 JANTX2N6798 Infineon (英飞凌) 完全替代 TO-205
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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JANTX2N6798 JANTX2N6798 Microsemi (美高森美) 完全替代 TO-39
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
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JANTXV2N6798 JANTXV2N6798 Microsemi (美高森美) 功能相似 TO-205
5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
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