技术参数/耗散功率: 60 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 100 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 750 @3A, 3V
技术参数/额定功率(Max): 60 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 60 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 9.9 mm
外形尺寸/宽度: 4.5 mm
外形尺寸/高度: 15.95 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: 无铅
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BDX53C
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
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BDX53C
|
Continental Device | 类似代替 | SFM |
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
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BDX53C
|
Poinn | 类似代替 |
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
|
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BDX53CG
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
ON SEMICONDUCTOR BDX53CG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE
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||
BUL89
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS BUL89 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 110 W, 12 A, 10 hFE
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Rochester (罗切斯特) | 类似代替 | TO-220 |
Trans Darlington NPN 100V 10A 80000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TIP142TTU
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-220-3 |
Trans Darlington NPN 100V 10A 80000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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